Infineon IPI50R299CP

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

包装数量

500

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

104W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

104 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

104 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 440µA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

550 V

输入电容

1.19 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

299 mΩ

最大rds

299 mΩ

通态电阻

299 mΩ