Infineon IPI60R520CP

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

74 ns

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI60R520CP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

INFINEON - IPI60R520CP - MOSFET, N, TO-262

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.82

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

6.8 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

66 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

66 W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

12 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

6.8 A

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.52 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

17 A

双电源电压

650 V

输入电容

630 pF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

166 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

66 W

漏源电阻

520 mΩ

最大rds

520 mΩ

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC