Infineon IPI65R099C6

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

278W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 1.2mA

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI65R099C6

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.39

Part Package Code

TO-262AA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

无铅代码

有

端子表面处理

未说明

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

99mOhm @ 12.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2780 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

127 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

漏极-源极导通最大电阻

0.099 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

115 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

845 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown