Infineon IPI65R110CFD

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

表面安装

NO

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

277.8W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI65R110CFD

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.79

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

31.2 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS CFD2™

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1.3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3240 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

118 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

31.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

99.6 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

845 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

277.8 W

场效应管特性

-