Infineon IPI65R280C6

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Continuous Drain Current Id

13.8

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

Power Dissipation (Max)

104W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.8A (Tc)

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

XO (Standard)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.8V

频率

3.57 MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

70µA

功率耗散

104

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

280mOhm @ 4.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

信道型

N通道

绝对牵引范围 (APR)

-

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

评级结果

-