Infineon IPI80N04S2-04

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

介电材料

Polypropylene (PP), Metallized

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

--

Voltage Rating AC

440V

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

56 ns

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI80N04S2-04

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.29

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

80 A

系列

B32911

操作温度

-40°C ~ 110°C

包装

Tape & Box (TB)

容差

±20%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

EMI, RFI Suppression

附加功能

雪崩 额定

电容量

1500pF

最大功率耗散

300 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

引线间距

0.394 (10.00mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300 W

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7mOhm @ 80A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170 nC @ 10 V

上升时间

45 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

80 A

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

40 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0037 Ω

漏源击穿电压

40 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

输入电容

5.3 nF

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

3.7 mΩ

最大rds

3.7 mΩ

特征

--

座位高度(最大)

--

宽度

4.4 mm

高度

9.25 mm

长度

10 mm

达到SVHC

unknown

评级结果

X1