Infineon IPL65R660E6

包装/外壳

VSON-4

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Id - Continuous Drain Current

7 A

Typical Turn-Off Delay Time

64 ns

RoHS

Details

Rds On - Drain-Source Resistance

594 mOhms

Tradename

CoolMOS

Qg - Gate Charge

23 nC

Brand

Infineon Technologies

Manufacturer

Infineon

Part # Aliases

SP000895212 IPL65R660E6AUMA1

Channel Mode

Enhancement

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Unit Weight

0.006619 oz

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Transistor Polarity

N-Channel

Pd - Power Dissipation

63 W

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Typical Turn-On Delay Time

10 ns

Moisture Sensitive

有

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

2A

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPL65R660E6

Package Shape

SQUARE

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.05

包装

MouseReel

系列

CoolMOS E6

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

S-PSSO-N4

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

0.66 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

142 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

MOSFET

长度

8 mm

高度

1.1 mm

宽度

8 mm

达到SVHC

compliant