Infineon IPP028N08N3GHKSA1

底架

通孔

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

Continuous Drain Current Id

100

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

86 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 270µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

厂商

Infineon Technologies

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS®

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率耗散

300

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8mOhm @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14200 pF @ 40 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

206 nC @ 10 V

上升时间

73 ns

漏源电压 (Vdss)

80 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

2.8 mΩ