Infineon IPP070N08N3GHKSA1

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

31 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IPP070N08N3GHKSA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.83

Drain Current-Max (ID)

80 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

16 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

66 ns

漏源电压 (Vdss)

80 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

80 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.007 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

6.7 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

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