Infineon IPP100N04S4-H2

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

包装数量

500

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

19 ns

Drain Current-Max (ID)

100 A

Part Package Code

TO-220AB

Risk Rank

5.68

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IPP100N04S4-H2

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

115 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电压

40 V

元素配置

Single

电流

75 A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

115 W

接通延迟时间

18 ns

无卤素

无卤素

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

100 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

40 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

输入电容

7.18 nF

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

2.7 mΩ

最大rds

2.7 mΩ

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

长度

10 mm

达到SVHC

compliant