Infineon IPP120N04S4-01

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

188 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.068784 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

IPP12N4S41XK SP000705704 IPP120N04S401AKSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

135 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

1.5 mOhms

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

120 A

Turn Off Delay Time

41 ns

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP120N04S4-01

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.47

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

120 A

系列

OptiMOS-T2

包装

Tube

容差

0.25 %

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

184 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

MOSFETs

额定功率

250 mW

最大功率耗散

188 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

34 ns

无卤素

无卤素

漏源电压 (Vdss)

40 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

120 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

40 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0019 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

输入电容

14 nF

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

750 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

188 W

漏源电阻

1.9 mΩ

最大rds

1.9 mΩ

产品类别

MOSFET

高度

650 µm

宽度

4.4 mm

长度

10 mm

达到SVHC

compliant