Infineon IPP50R350CP

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

包装数量

500

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

89W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 370µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

零件状态

NRND (Last Updated: 2 years ago)

终端

通孔

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

89 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

89 W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

350mOhm @ 5.6A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10 A

阈值电压

3 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

500 V

双电源电压

550 V

输入电容

1.02 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

350 mΩ

最大rds

350 mΩ

栅源电压

3 V

通态电阻

350 mΩ

宽度

4.57 mm

高度

15.95 mm

长度

10.36 mm

达到SVHC

无SVHC