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IPP50R350CPXK

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Infineon IPP50R350CPXK

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对比

型号

IPP50R350CPXK

品牌

utmel 编号

1211-IPP50R350CPXK

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP50R350CPXK

IPP50R350CPXK Infineon Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP50R350CPXK详情

技术参数

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Infineon IPP50R350CPXK重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
供应商器件包装

PG-TO220-3-1
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

89W (Tc)
Product Status

活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 370µA
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

CoolMOS™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

350mOhm @ 5.6A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

500 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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