Infineon IPP60R190C6

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

20.2

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

15 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

151 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.068784 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000621158 IPP6R19C6XK IPP60R190C6XKSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

63 nC

Tradename

CoolMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

170 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

110 ns

Id - Continuous Drain Current

20.2 A

Package Description

TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP60R190C6

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.84

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

20.2 A

系列

CoolMOS C6

包装

Tube

无铅代码

有

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

151

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

11 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

59 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

418 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

151 W

产品类别

MOSFET

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

长度

10 mm