Infineon IPP60R190E6

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

151W

Turn Off Delay Time

90 ns

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

终止次数

3

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

151W

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

20.2A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

59A

雪崩能量等级（Eas）

418 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

170mOhm

最大rds

190 mΩ

电容-输入

1.4nF

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅