IPP60R450E6详情
Infineon IPP60R450E6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-220
底架
通孔
Turn Off Delay Time
70 ns
Number of Elements
1
无铅代码
yes
终止次数
3
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
74W
接通延迟时间
11 ns
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
9.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏极-源极导通最大电阻
0.45Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
26A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IPP60R450E6拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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