Infineon IPP60R600E6

底架

通孔

包装/外壳

TO-220

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

58 ns

无铅代码

yes

终止次数

3

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

63W

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

7.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅