Infineon IPP65R380E6

工厂交货时间

1 Week

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPP65R380E6

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

TO-220AB

Package Description

TO-220, 3 PIN

Risk Rank

5.79

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

83W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

无铅代码

有

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380mOhm @ 3.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 320µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.38 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

29 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

215 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

83 W

场效应管特性

-