IPP65R600E6详情
Infineon IPP65R600E6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Continuous Drain Current Id
7.3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)
系列
*
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散
63
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 210µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
440 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±20V
信道型
N
场效应管特性
-
IPP65R600E6拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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