Infineon IPP65R660CFD

安装类型

SMD

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

MSL

n/a

RoHS

有

Continuous Drain Current Id

6

Continuous Drain Current

6(A)

Drain-Source On-Volt

650(V)

Mounting

通孔

Rad Hardened

无

Number of Elements

1

Channel Mode

Enhancement

Gate-Source Voltage (Max)

20(V)

Operating Temp Range

-55C to 150C

Package Type

TO-220

Operating Temperature Classification

Military

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

62.5W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-40...+125°C

系列

LTC

包装

Rail/Tube

类型

功率MOSFET

技术

MOSFET (Metal Oxide)

频率

20-1000kHz

引脚数量

3 +Tab

输出电压

1,2V...+36V

输出类型

可调式

极性

N

注意

-

功率耗散

62.5

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

660mOhm @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 200µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

615 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

信道型

N

场效应管特性

-

输入电压

3V...+36V