Infineon IPP70N04S3-07

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO220-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

79W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Package Description

ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.32

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

70 A

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IPP70N04S3-07

Rohs Code

有

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™T

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

附加功能

超低电阻

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5mOhm @ 70A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2700 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0071 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

145 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown