Infineon IPP80CN10NG

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

13 ns

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

100 V

Number of Elements

1

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP80CN10NG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.84

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

13 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

31 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

13 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

31 W

接通延迟时间

9 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

4 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

13 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13 A

漏极-源极导通最大电阻

0.08 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A

输入电容

716 pF

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

17 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

31 W

最大结点温度（Tj）

175 °C

漏源电阻

61 mΩ

最大rds

80 mΩ

栅源电压

3 V

高度

20.75 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅