Infineon IPP80CN10NGXKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

PG-TO220-3-123

Continuous Drain Current Id

52

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

13 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

31W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 12µA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™ 2

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

31

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

80mOhm @ 13A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

716 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11 nC @ 10 V

上升时间

4 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

13 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

100 V

信道型

N

最大结点温度（Tj）

175 °C

场效应管特性

-

漏源电阻

61 mΩ

高度

20.75 mm