Infineon IPP80N06S2-05

触点镀层

Tin

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

54 ns

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP80N06S2-05

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.6

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

80 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

300 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300 W

接通延迟时间

18 ns

无卤素

无卤素

上升时间

21 ns

漏源电压 (Vdss)

55 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

80 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

55 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0051 Ω

漏源击穿电压

55 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

输入电容

5.11 nF

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

300 W

漏源电阻

5.1 mΩ

最大rds

5.1 mΩ

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

长度

10 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

not_compliant