Infineon IPP90N04S4-02
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IPP90N04S4-02详情
Infineon IPP90N04S4-02重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
27 ns
Package Description
GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IPP90N04S4-02
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.82
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
90 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
150 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
23 ns
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
40 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
90 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大双电源电压
40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
90 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0025 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
360 A
输入电容
9.43 nF
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
475 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
漏源电阻
2.5 mΩ
最大rds
2.5 mΩ
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
长度
10 mm
IPP90N04S4-02拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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