Infineon IPS050N03LG

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO252-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

50

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

68W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPS050N03LG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.8

Part Package Code

TO-251AA

Drain Current-Max (ID)

50 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

68

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3200 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0073 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

350 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

68 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant