Infineon IPS060N03L G

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

50 A

Part Package Code

TO-251

Risk Rank

5.72

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IPS060N03LG

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

IN-LINE

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

350 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

56 W