Infineon IPS12CN10LG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO251-3-11

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

69A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 83µA

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPS12CN10LG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

Part Package Code

TO-251AA

Drain Current-Max (ID)

69 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™2

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑级兼容

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12mOhm @ 69A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5600 pF @ 50 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

69 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0118 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

276 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant