Infineon IPW50R299CP

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO247-3-21

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

包装数量

240

Continuous Drain Current Id

12

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

104W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPW50R299CP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.62

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

12 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

终端

通孔

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

104 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

104

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

12 A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.299 Ω

漏源击穿电压

500 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26 A

双电源电压

550 V

输入电容

1.19 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

289 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

104 W

场效应管特性

-

漏源电阻

299 mΩ

最大rds

299 mΩ

栅源电压

3 V

通态电阻

299 mΩ

宽度

5.16 mm

高度

21.1 mm

长度

16.03 mm

达到SVHC

无SVHC