Infineon IPW50R399CP

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

包装数量

240

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPW50R399CP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.83

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

9 A

无铅代码

有

零件状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

终端

通孔

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

83 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83 W

接通延迟时间

35 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

9 A

阈值电压

3 V

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

0.399 Ω

漏源击穿电压

500 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

双电源电压

560 V

输入电容

890 pF

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

215 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

83 W

漏源电阻

399 mΩ

最大rds

399 mΩ

栅源电压

3 V

通态电阻

399 mΩ

达到SVHC

无SVHC