Infineon IPW60R060C7

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

供应商器件包装

PG-TO247-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

162W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPW60R060C7

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

2.25

Drain Current-Max (ID)

35 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

ECCN 代码

EAR99

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60mOhm @ 15.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 800µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2850 pF @ 400 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

135 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

159 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-