Infineon IPW60R299CP

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

96W

Turn Off Delay Time

40 ns

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

终止次数

3

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

600V

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

11A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

96W

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

299mOhm

最大rds

299 mΩ

电容-输入

1.1nF

高度

21.1mm

长度

16.03mm

宽度

5.16mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅