Infineon IPW65R190C6

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO247-3-41

包装数量

240

Id - Continuous Drain Current

20.2 A

Typical Turn-Off Delay Time

133 nS

RoHS

Details

Rds On - Drain-Source Resistance

190 mOhms

Tradename

CoolMOS

Qg - Gate Charge

73 nC

Brand

Infineon Technologies

Manufacturer

Infineon

Part # Aliases

IPW65R19C6XK SP000863902 IPW65R190C6FKSA1

Channel Mode

Enhancement

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

240

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Unit Weight

0.211644 oz

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Transistor Polarity

N-Channel

Pd - Power Dissipation

151 W

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.5 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Turn Off Delay Time

133 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

151W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 730µA

包装

Tube

系列

CoolMOS C6

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

151 W

技术

Si

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

功率耗散

151 W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1620 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73 nC @ 10 V

上升时间

12 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

20.2 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

700 V

输入电容

1.62 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

190 mΩ

最大rds

190 mΩ

通态电阻

190 mΩ

产品类别

MOSFET

长度

16.13 mm

高度

21.1 mm

宽度

5.21 mm