IPW65R310CFD详情
Infineon IPW65R310CFD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO247
包装数量
240
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Schedule B
8541290080
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max)
104.2W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.4A (Tc)
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SG-8101
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
零件状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
类型
XO (Standard)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
104.2 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
50.21 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
功率耗散
104.2 W
扩频带宽
-
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41 nC @ 10 V
上升时间
7.5 ns
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
11.4 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大双电源电压
650 V
输入电容
1.1 nF
绝对牵引范围 (APR)
-
场效应管特性
-
最大rds
310 mΩ
通态电阻
310 mΩ
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
无铅
无铅
评级结果
-
IPW65R310CFD拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。