Infineon IPZ65R019C7

包装/外壳

TO-247-4

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

有

Mounting

cable

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

446 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

215 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

17 mOhms

Id - Continuous Drain Current

75 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPZ65R019C7

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

2.26

Part Package Code

TO-247

Drain Current-Max (ID)

75 A

系列

294

无铅代码

有

附加功能

HIGH RELIABILITY

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

n/a

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

漏极-源极导通最大电阻

0.019 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

496 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

583 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

compliant