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技术文档
型号
IR2125ZSCB
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IR2125ZSCB
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET DRVR 400V 2A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin MO-036AA
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IR2125ZSCB详情
技术参数
PDF文档
Infineon IR2125ZSCB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
8
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Supply Voltage-Nom
15 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Supply Voltage-Min
12 V
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Turn-on Time
270 µs
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Part Life Cycle Code
Obsolete
Turn-off Time
330 µs
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Supply Voltage-Max
18 V
Risk Rank
5.74
Part Package Code
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.39.00.01
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDIP-T8
资历状况
不合格
座位高度-最大
4.44 mm
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
筛选水平
MIL-STD-883 Class B
电源电压1-额定值
高边驱动器
YES
电源电压1-最小值
7 V
电源电压1-最大值
418 V
宽度
7.62 mm
长度
10.31 mm
技术文档: Infineon IR2125ZSCB.
IR2125ZSCB拓展信息
公司资质
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