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技术文档
型号
IRC840
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRC840
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220VAR
起订量
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IRC840详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRC840重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
8 A
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Manufacturer
International Rectifier
Manufacturer Part Number
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T5
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code
Transferred
Part Package Code
TO-220
Reflow Temperature-Max (s)
30
Risk Rank
7.76
Rohs Code
无
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T5
资历状况
不合格
配置
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.85 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
210 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
环境耗散-最大值
技术文档: Infineon IRC840.
IRC840拓展信息
公司资质
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