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技术文档
型号
IRF1302L
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRF1302L
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IRF1302L datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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IRF1302L详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRF1302L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.28
Part Package Code
TO-262AA
Drain Current-Max (ID)
75 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
174 A
漏极-源极导通最大电阻
0.004 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
700 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
350 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
200 W
技术文档: Infineon IRF1302L.
IRF1302L拓展信息
公司资质
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