Infineon IRF2807LPBF

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

49 ns

RoHS

Compliant

Package Description

LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF2807LPBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.61

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

75 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

230 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

75 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

82 A

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

82 A

漏极-源极导通最大电阻

0.013 Ω

漏源击穿电压

75 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280 A

输入电容

3.82 nF

DS 击穿电压-最小值

75 V

雪崩能量等级（Eas）

340 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

230 W

漏源电阻

13 mΩ

环境耗散-最大值

150 W

宽度

4.69 mm

高度

10.54 mm

长度

10.54 mm