IRF330
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Infineon IRF330

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型号

IRF330

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRF330

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel 400 V 1 O 75 W Through Hole HexFet Transistor - TO-3

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IRF330
IRF330 Infineon N-Channel 400 V 1 O 75 W Through Hole HexFet Transistor - TO-3

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IRF330详情

Infineon IRF330重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Dissipation Factor DF

    15 %

  • Moisture Sensitive

  • Case Code - in

    1411

  • Mfr Case Code

    BL外壳

  • Case Code - mm

    3528

  • Maximum Operating Temperature

    + 105 C

  • Unit Weight

    0.003527 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Manufacturer

    KYOCERA AVX

  • Voltage Rating DC

    6.3 VDC

  • Brand

    KYOCERA AVX

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    TO-3, 2 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRF330

  • Package Shape

    ROUND

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.08

  • Drain Current-Max (ID)

    5.5 A

  • 系列

    TCTO

  • 包装

    MouseReel

  • 容差

    20 %

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 电容量

    150 uF

  • 子类别

    Capacitors

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 泄漏电流

    94.5 uA

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    钽电容器

  • 等效串联电阻

    35 mOhms

  • JEDEC-95代码

    TO-204AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5.5 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.22 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    22 A

  • DS 击穿电压-最小值

    400 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1.7 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    75 W

  • 产品

    有机聚合物钽 低ESR

  • 产品类别

    Tantalum Capacitors - Polymer

  • 宽度

    2.8 mm

  • 高度

    1.1 mm

  • 长度

    3.5 mm

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技术文档: Infineon IRF330.

IRF330拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS