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技术文档
型号
IRF3710S
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRF3710S
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
起订量
--最小包装量--
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IRF3710S详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRF3710S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
3.56
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
57 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
46 A
漏极-源极导通最大电阻
0.023 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
180 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
280 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
技术文档: Infineon IRF3710S.
IRF3710S拓展信息
公司资质
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