Infineon IRF3808L

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Dimensions

24x21x11,7mm

Terminal

Faston 4,8x0,8mm

RoHS

有

Contact Current

4(1)A

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF3808L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.7

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

75 A

系列

1800

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

照明

-

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

106 A

漏极-源极导通最大电阻

0.007 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

550 A

DS 击穿电压-最小值

75 V

雪崩能量等级（Eas）

430 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

200 W

知识产权评级

IP40

达到SVHC

compliant