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Infineon IRF5M3205SCX

Name: IRF5M3205SCX
Brand: Infineon
SKU: 1211-IRF5M3205SCX
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF5M3205SCX

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRF5M3205SCX

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

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IRF5M3205SCX Infineon Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

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IRF5M3205SCX详情

技术参数

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Infineon IRF5M3205SCX重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

METAL
Manufacturer Part Number

IRF5M3205SCX
Package Shape

SQUARE
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.67
Drain Current-Max (ID)

35 A
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

PIN/PEG
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

S-MSFM-P3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-254AA
漏极-源极导通最大电阻

0.015 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

140 A
DS 击穿电压-最小值

55 V
雪崩能量等级（Eas）

475 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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