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Infineon IRF5NJ9540SCV

Name: IRF5NJ9540SCV
Brand: Infineon
SKU: 1211-IRF5NJ9540SCV
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF5NJ9540SCV

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRF5NJ9540SCV

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD0.5, 3 PIN

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IRF5NJ9540SCV Infineon Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD0.5, 3 PIN

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IRF5NJ9540SCV详情

技术参数

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Infineon IRF5NJ9540SCV重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Package Style

CHIP CARRIER
Package Body Material

UNSPECIFIED
Operating Temperature-Min

-55 °C
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

IRF5NJ9540SCV
Turn-on Time-Max (ton)

164 ns
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Turn-off Time-Max (toff)

171 ns
Risk Rank

5.65
Drain Current-Max (ID)

18 A
ECCN 代码

EAR99
端子位置

BOTTOM
终端形式

无铅
参考标准

MIL-19500
JESD-30代码

R-XBCC-N3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)

18 A
漏极-源极导通最大电阻

0.117 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72 A
DS 击穿电压-最小值

100 V
雪崩能量等级（Eas）

260 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

75 W
达到SVHC

compliant

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IRF5NJ9540SCV拓展信息

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