IRF6215STRL详情
Infineon IRF6215STRL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
-
表面安装
YES
外壳材料
PBT
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Shell Sizes
-
RoHS
有
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF6215STRL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Description
PLASTIC, D2PAK-3
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.05
Drain Current-Max (ID)
13 A
系列
AMPMODU Mod IV
JESD-609代码
e0
终端
-
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
性别
-
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
螺距
n/a
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
触点表面处理
-
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
-
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
定位/联系数
8
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13 A
漏极-源极导通最大电阻
0.29 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
44 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
310 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
110 W
知识产权评级
-
IRF6215STRL拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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