Infineon IRF6216TRPBF-1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF6216TRPBF-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.29

Drain Current-Max (ID)

2.2 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

ECCN 代码

EAR99

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

240mOhm @ 1.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1280 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

49 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

150 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

漏极-源极导通最大电阻

0.24 Ω

DS 击穿电压-最小值

150 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-