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Infineon IRF6217PBF

Name: IRF6217PBF
Brand: Infineon
SKU: 1211-IRF6217PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF6217PBF

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRF6217PBF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8

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IRF6217PBF Infineon Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8

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IRF6217PBF详情

技术参数

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Infineon IRF6217PBF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Drain Current-Max (ID)

0.7 A
Risk Rank

5.3
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code

不推荐
Number of Elements

1
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer Part Number

IRF6217PBF
Rohs Code

有
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Style

小概要
Package Description

SOP-8
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PDSO-G8
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
JEDEC-95代码

MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻

2.4 Ω
DS 击穿电压-最小值

150 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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