注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IRF731
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRF731
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
IRF731详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRF731重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
材料
Nylon
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
Drain Current-Max (ID)
5.5 A
Risk Rank
5.12
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
Package Style
FLANGE MOUNT
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
锡铅
性别
Male/Female
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
六角对峙
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
螺纹尺寸
UNC8-32
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22 A
DS 击穿电压-最小值
350 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
长度 - 整体
44,45 mm
技术文档: Infineon IRF731.
IRF731拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)