Infineon IRF7343QPBF

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Package Description

LEAD FREE, SOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7343QPBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

8.48

Part Package Code

SOIC

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2 W

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

55 V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.7 A

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38 A

输入电容

690 pF

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

长度

5 mm

辐射硬化

无