登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

IRF7379QPBF

IRF7379QPBF

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF列表

PDF文档列表

免费送样

Infineon IRF7379QPBF

收藏
对比

型号

IRF7379QPBF

品牌

utmel 编号

1211-IRF7379QPBF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

IRF7379QPBF

IRF7379QPBF Infineon Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SOP-8

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

*

验证码

IRF7379QPBF详情

技术参数

PDF文档

Infineon IRF7379QPBF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

8
Number of Elements

2
RoHS

Compliant
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.5 W
功率耗散

2.5 W
漏源电压 (Vdss)

30 V
连续放电电流(ID)

5.8 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
输入电容

440 pF
宽度

3.9878 mm
高度

1.4986 mm
长度

4.9784 mm
辐射硬化

无

0个相似型号

IRF7379QPBF拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

IRFR6215TRPBF

Infineon Technologies

IRFR5505TRPBF

Infineon Technologies

IRLL014NTRPBF

Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF

Infineon Technologies

IRFP260NPBF

Infineon Technologies

IRFR9024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR2905TRPBF

Infineon Technologies

IRFR9120NTRPBF

Infineon Technologies

IRLR024NTRPBF

Infineon Technologies

IRLL2705TRPBF

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z